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NSVDTA114YM3T5G 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-723
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 260mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA123EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2557

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NSVDTA114YM3T5G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVDTA114YM3T5G 参考価格. NSVDTA114YM3T5G パラメーター, NSVDTA114YM3T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVDTA114YM3T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVDTA114YM3T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVDTA114YM3T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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