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NTLJD3182FZTBG 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 710mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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NTLJD2104PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2694
NTLJD2104PTAG Rochester Electronics, LLC MOSFETトランジスタアレイ
NTLJD2104PTAG ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
NTLJD2104PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2676
NTLJD2104PTBG ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
NTLJD2104PTBG Rochester Electronics, LLC MOSFETトランジスタアレイ
NTLJD2105LTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3486
NTLJD2105LTBG ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
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NTLJD3115PT ON 特殊なホットIC 759

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NTLJD3182FZTBG ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NTLJD3182FZTBG 参考価格. NTLJD3182FZTBG パラメーター, NTLJD3182FZTBG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NTLJD3182FZTBG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NTLJD3182FZTBG ピン図と回路図と機能の使用方法、 NTLJD3182FZTBG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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