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NTLJS3113PTAG 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1329pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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NTLJS1102PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2667
NTLJS1102PTAG Rochester Electronics, LLC NTLJS1102PTAG
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NTLJS3113PTAG ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NTLJS3113PTAG 参考価格. NTLJS3113PTAG パラメーター, NTLJS3113PTAG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NTLJS3113PTAG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NTLJS3113PTAG ピン図と回路図と機能の使用方法、 NTLJS3113PTAG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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