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NTLJS4159NT1G 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1045pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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NTLJS1102PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2667
NTLJS1102PTAG Rochester Electronics, LLC NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2540
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NTLJS4159NT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NTLJS4159NT1G 参考価格. NTLJS4159NT1G パラメーター, NTLJS4159NT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NTLJS4159NT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NTLJS4159NT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NTLJS4159NT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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