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NTMSD6N303R2G 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
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NTMSD6N303R2G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NTMSD6N303R2G 参考価格. NTMSD6N303R2G パラメーター, NTMSD6N303R2G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NTMSD6N303R2G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NTMSD6N303R2G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NTMSD6N303R2G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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