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NVD5867NLT4G-TB01 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK-3
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 11A, 10V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 22A (Tc)
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NVD5802NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 42776
NVD5802NT4G ON 特殊なホットIC 498
NVD5802NT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVD5802NT4G-TB01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2645
NVD5802NT4G-VF01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2660
NVD5803N ON 特殊なホットIC 37443
NVD5803NT4G ON 特殊なホットIC 2987
NVD5803NT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVD5803NT4G MOS VBSEMI 特殊なホットIC 12991
NVD5805NT4G VB 特殊なホットIC 79923

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NVD5867NLT4G-TB01 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NVD5867NLT4G-TB01 参考価格. NVD5867NLT4G-TB01 パラメーター, NVD5867NLT4G-TB01 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NVD5867NLT4G-TB01 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NVD5867NLT4G-TB01 ピン図と回路図と機能の使用方法、 NVD5867NLT4G-TB01 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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