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P2N2907AZL1G 技術仕様

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
P2N2907A AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2726
P2N2907AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2566
P2N2907AG ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
P2N2907ARL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2757
P2N2907ARL1 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
P2N2907ARL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 11407
P2N2907ARL1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
P2N2907AZL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 8478
P2N2907AZL1 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
P2N2907AZL1 Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ

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P2N2907AZL1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, P2N2907AZL1G 参考価格. P2N2907AZL1G パラメーター, P2N2907AZL1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 P2N2907AZL1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 P2N2907AZL1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 P2N2907AZL1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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