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RFD12N06RLE 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251AA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RFD12N06 FSC 特殊なホットIC 2500
RFD12N06LE FAIRCHILD 特殊なホットIC 1318
RFD12N06LESM F 特殊なホットIC 33713
RFD12N06REL F 特殊なホットIC 32363
RFD12N06RLE Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2287
RFD12N06RLESM F 特殊なホットIC 10509
RFD12N06RLESM MOS VBSEMI 特殊なホットIC 11699
RFD12N06RLESM9A AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3633
RFD12N06RLESM9A Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1357
RFD12N06RLESM9A ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ

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RFD12N06RLE ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, RFD12N06RLE 参考価格. RFD12N06RLE パラメーター, RFD12N06RLE データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RFD12N06RLE プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RFD12N06RLE ピン図と回路図と機能の使用方法、 RFD12N06RLE エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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