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SMUN2211T3G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 230mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SMUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2564
SMUN2111T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN2111T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2764
SMUN2111T3G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN2113T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2526
SMUN2113T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN2114T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3129
SMUN2114T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN2211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 16550
SMUN2211T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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SMUN2211T3G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, SMUN2211T3G 参考価格. SMUN2211T3G パラメーター, SMUN2211T3G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SMUN2211T3G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SMUN2211T3G ピン図と回路図と機能の使用方法、 SMUN2211T3G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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