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SMUN5211T1G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2640

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SMUN5211T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, SMUN5211T1G 参考価格. SMUN5211T1G パラメーター, SMUN5211T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SMUN5211T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SMUN5211T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 SMUN5211T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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