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ALD1110ESAL
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ALD1110ESAL 技術仕様
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Advanced Linear Devices, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
Series | EPAD® |
Power - Max | 600mW |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
ALD1110ESAL 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください ALD1110ESAL
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データシート
ALD1110ESAL.pdf
その他には以下が含まれます: "ALD11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'ALD11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices, Inc. | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2523 |
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETトランジスタアレイ | |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices, Inc. | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2733 |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETトランジスタアレイ | |
ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices, Inc. | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2716 |
ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETトランジスタアレイ | |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices, Inc. | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2781 |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETトランジスタアレイ | |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices, Inc. | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2576 |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETトランジスタアレイ |
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ALD1110ESAL ブランドメーカー: Advanced Linear Devices, Inc., Bonchip ストック, ALD1110ESAL 参考価格. ALD1110ESAL パラメーター, ALD1110ESAL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 ALD1110ESAL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 ALD1110ESAL ピン図と回路図と機能の使用方法、 ALD1110ESAL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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