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AOTF11S60
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AOTF11S60 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220-3F |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 3.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | aMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
AOTF11S60 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください AOTF11S60
-
データシート
1.AOTF11S60.pdf 2.AOTF11S60.pdf
その他には以下が含まれます: "AOTF1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'AOTF1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
AOTF10B60D | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | トランジスタ - IGBT - シングル | 317 |
AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 単一IGBT | |
AOTF10B60D MOS | AO | 特殊なホットIC | 17888 |
AOTF10B60D2 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | トランジスタ - IGBT - シングル | 4321 |
AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 単一IGBT | |
AOTF10B60D2 AOTF10B60D | AO/ | 特殊なホットIC | 5999 |
AOTF10B65LN1 | AOS | 特殊なホットIC | 2543 |
AOTF10B65LN2 | AOS | 特殊なホットIC | 4247 |
AOTF10B65M1 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | トランジスタ - IGBT - シングル | 2560 |
AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 単一IGBT |
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AOTF11S60 ブランドメーカー: Alpha and Omega Semiconductor, Inc., Bonchip ストック, AOTF11S60 参考価格. AOTF11S60 パラメーター, AOTF11S60 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 AOTF11S60 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 AOTF11S60 ピン図と回路図と機能の使用方法、 AOTF11S60 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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