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NE3512S02-A 技術仕様

HJ-FET NCH 13.5DB S02

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 2V
Transistor Type HFET
Power - Output -
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Gain 13.5dB
Current Rating 70mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 4V
Supplier Device Package S02
Packaging Bulk
Noise Figure 0.35dB
Frequency 12GHz
Current - Test 10mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NE3510M04-07-T2 Renesas Electronics America 特殊なホットIC 38080
NE3510M04-07-T2 IC Renesas Electronics America 特殊なホットIC 38017
NE3510M04-07-T2-A IC Renesas Electronics America 特殊なホットIC 60451
NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2714
NE3510M04-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 8095
NE3510M04-T2-A Rochester Electronics, LLC RF MOSFETトランジスタ
NE3510M04-T2-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2583
NE3511S02-A CEL RF MOSFETトランジスタ

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NE3512S02-A ブランドメーカー: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip ストック, NE3512S02-A 参考価格. NE3512S02-A パラメーター, NE3512S02-A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NE3512S02-A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NE3512S02-A ピン図と回路図と機能の使用方法、 NE3512S02-A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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