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NE3521M04-A 技術仕様

IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 2V
Transistor Type N-Channel
Packaging Bulk
Noise Figure 0.85dB
Frequency 20GHz
Current - Test 6mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 3V
Power - Output -
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Gain 10.5dB
Current Rating 15mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NE3520S03 NEC 特殊なホットIC 2527
NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2680
NE3520S03-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2662
NE3520S03-T1C-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3521M04-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3521M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 1370
NE3521M04-T2-A CEL RF MOSFETトランジスタ
NE3521M04-T2-A Rochester Electronics, LLC RF MOSFETトランジスタ

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NE3521M04-A ブランドメーカー: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip ストック, NE3521M04-A 参考価格. NE3521M04-A パラメーター, NE3521M04-A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NE3521M04-A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NE3521M04-A ピン図と回路図と機能の使用方法、 NE3521M04-A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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