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NE851M33-A 技術仕様

TRANSISTOR NPN 2GHZ M33

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.5V
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (M33)
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 4.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 130mW
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 1V
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NE851M03-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2516
NE851M03-A CEL RF BJT トランジスタ
NE851M03-T1-A NEC 特殊なホットIC 2402
NE851M13 NEC 特殊なIC 50390
NE851M13-T3-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2667
NE851M13-T3-A CEL RF BJT トランジスタ
NE851M33-A CEL RF BJT トランジスタ
NE851M33-T3-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2571
NE851M33-T3-A CEL RF BJT トランジスタ

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NE851M33-A ブランドメーカー: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip ストック, NE851M33-A 参考価格. NE851M33-A パラメーター, NE851M33-A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NE851M33-A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NE851M33-A ピン図と回路図と機能の使用方法、 NE851M33-A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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