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NE85630-T1-A
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NE85630-T1-A 技術仕様
RF TRANSISTOR NPN SOT-323
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 4.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 7mA, 3V |
NE85630-T1-A 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NE85630-T1-A
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データシート
NE85630-T1-A.pdf
その他には以下が含まれます: "NE856" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NE856'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NE85618 | NEC | 特殊なホットIC | 5 |
NE85618-A | CEL (California Eastern Laboratories) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2712 |
NE85618-A | CEL | RF BJT トランジスタ | |
NE85618-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 63453 |
NE85618-T1-A | CEL | RF BJT トランジスタ | |
NE85619 | NEC | 特殊なホットIC | 5 |
NE85619-A | CEL (California Eastern Laboratories) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2581 |
NE85619-A | CEL | RF BJT トランジスタ | |
NE85619-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 3150 |
NE85619-T1 | CEL | RF BJT トランジスタ |
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