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NE856M02-T1-AZ 技術仕様

RF TRANSISTOR NPN SOT-89

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package SOT-89
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 6.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1.2W
Package / Case TO-243AA
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 12dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NE85618 NEC 特殊なホットIC 5
NE85618-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2712
NE85618-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85618-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 63453
NE85618-T1-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85619 NEC 特殊なホットIC 5
NE85619-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2581
NE85619-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85619-T1 CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 3150
NE85619-T1 CEL RF BJT トランジスタ

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NE856M02-T1-AZ ブランドメーカー: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip ストック, NE856M02-T1-AZ 参考価格. NE856M02-T1-AZ パラメーター, NE856M02-T1-AZ データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NE856M02-T1-AZ プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NE856M02-T1-AZ ピン図と回路図と機能の使用方法、 NE856M02-T1-AZ エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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