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NE856M03-A 技術仕様

TRANSISTOR NPN 1GHZ MINIMOLD

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (M03)
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 4.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 125mW
Package / Case SOT-623F
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NE85618 NEC 特殊なホットIC 5
NE85618-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2712
NE85618-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85618-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 63453
NE85618-T1-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85619 NEC 特殊なホットIC 5
NE85619-A CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2581
NE85619-A CEL RF BJT トランジスタ
NE85619-T1 CEL (California Eastern Laboratories) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 3150
NE85619-T1 CEL RF BJT トランジスタ

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NE856M03-A ブランドメーカー: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip ストック, NE856M03-A 参考価格. NE856M03-A パラメーター, NE856M03-A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NE856M03-A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NE856M03-A ピン図と回路図と機能の使用方法、 NE856M03-A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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