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2N6109 技術仕様

TRANS PNP 50V 7A TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 40W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 7A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 3A, 7A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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2N6107 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2988
2N6107 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 64431
2N6107 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6107 PBFREE Central Semiconductor Corp 単一BJTトランジスタ
2N6107G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 22674
2N6107G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2595
2N6109 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6109 PBFREE Central Semiconductor Corp 単一BJTトランジスタ
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