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MJ2955 技術仕様

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
Transistor Type PNP
Power - Max 115W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 2.5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package TO-3
Packaging Bulk
Other Names MJ2955 PBFREE MJ2955CS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 70V 15A 2.5MHz 115W Through Hole TO-3
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MJ2955 STMicroelectronics トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2414
MJ2955G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2590
MJ2955G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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