TIP30C 技術仕様

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 30W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Frequency - Transition 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 125mA, 1A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Other Names TIP30C PBFREE TIP30CCS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
TIP30 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 4024
TIP30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 901
TIP30 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
TIP30 Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
TIP30-S Bourns, Inc. トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2707
TIP30-S Bourns Inc. 単一BJTトランジスタ
TIP3055 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 55780
TIP3055 STMicroelectronics トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2265
TIP3055 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 55595
TIP3055 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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