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CDBGBSC201200-G
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CDBGBSC201200-G 技術仕様
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | Comchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Supplier Device Package | TO-247 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Detailed Description | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 25.9A (DC) |
CDBGBSC201200-G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください CDBGBSC201200-G
-
データシート
CDBGBSC201200-G.pdf
その他には以下が含まれます: "CDBGB" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'CDBGB'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2539 |
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2796 |
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CDBGBSC201200-G ブランドメーカー: Comchip Technology, Bonchip ストック, CDBGBSC201200-G 参考価格. CDBGBSC201200-G パラメーター, CDBGBSC201200-G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 CDBGBSC201200-G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 CDBGBSC201200-G ピン図と回路図と機能の使用方法、 CDBGBSC201200-G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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