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CDBJSC8650-G 技術仕様

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Comchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Supplier Device Package TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case TO-220-2
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz
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CDBJSC101700-G Comchip Technology ダイオード - 整流器 - シングル 2729
CDBJSC10650-G Comchip Technology ダイオード - 整流器 - シングル 2693
CDBJSC3650-G Comchip Technology ダイオード - 整流器 - シングル 2642
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CDBJSC8650-G ブランドメーカー: Comchip Technology, Bonchip ストック, CDBJSC8650-G 参考価格. CDBJSC8650-G パラメーター, CDBJSC8650-G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 CDBJSC8650-G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 CDBJSC8650-G ピン図と回路図と機能の使用方法、 CDBJSC8650-G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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