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KBPC5010W-G
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KBPC5010W-G 技術仕様
BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC-
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Comchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 50A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Supplier Device Package | KBPC-W |
Package / Case | 4-Square, KBPC-W |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1000V |
KBPC5010W-G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください KBPC5010W-G
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データシート
KBPC5010W-G.pdf
その他には以下が含まれます: "KBPC5" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'KBPC5'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
KBPC50-10 | NA | 特殊なホットIC | 1000 |
KBPC50005-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2510 |
KBPC50005T | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2602 |
KBPC50005W | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2668 |
KBPC50005W-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2639 |
KBPC5001-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2607 |
KBPC5001T | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2660 |
KBPC5001W | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2561 |
KBPC5001W-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2685 |
KBPC5002 | HB | 特殊なホットIC | 874 |
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輸送方法 | ||
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