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KBU1001-G
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KBU1001-G 技術仕様
RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Comchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Supplier Device Package | KBU |
Package / Case | 4-SIP, KBU |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
KBU1001-G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください KBU1001-G
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データシート
KBU1001-G.pdf
その他には以下が含まれます: "KBU10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'KBU10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
KBU10005 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2517 |
KBU10005-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2673 |
KBU1001 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2655 |
KBU1001G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
KBU1001G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
KBU1002 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2581 |
KBU1002-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2797 |
KBU1002G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
KBU1002G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
KBU1003G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 |
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輸送方法 | ||
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