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CPMF-1200-S080B 技術仕様

MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series Z-FET™
Power Dissipation (Max) 313mW (Tj)
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90.8nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -5V
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1915pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tj)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
CPMF-1200-S080B Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2673
CPMF-1200-S160B Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
CPMF-1200-S160B Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2782

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CPMF-1200-S080B ブランドメーカー: Cree, Bonchip ストック, CPMF-1200-S080B 参考価格. CPMF-1200-S080B パラメーター, CPMF-1200-S080B データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 CPMF-1200-S080B プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 CPMF-1200-S080B ピン図と回路図と機能の使用方法、 CPMF-1200-S080B エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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