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S34MS04G200TFI003 技術仕様
IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 集積回路 (IC) / メモリー |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | FLASH - NAND |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Series | MS-2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns |
S34MS04G200TFI003 書類
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-
データシート
S34MS04G200TFI003.pdf
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次の部分には次のものが含まれます 'S34MS'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
S34MS01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2589 |
S34MS01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2739 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | メモリー | 5313 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | メモリー | |
S34MS01G100BHI003 | Cypress Semiconductor | メモリー | 5470 |
S34MS01G100BHI900 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2693 |
S34MS01G104BHB010 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2713 |
S34MS01G104BHB013 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2704 |
S34MS01G104BHB080 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2771 |
S34MS01G104BHI010 | Cypress Semiconductor | メモリー | 2529 |
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S34MS04G200TFI003 ブランドメーカー: Cypress Semiconductor, Bonchip ストック, S34MS04G200TFI003 参考価格. S34MS04G200TFI003 パラメーター, S34MS04G200TFI003 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 S34MS04G200TFI003 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 S34MS04G200TFI003 ピン図と回路図と機能の使用方法、 S34MS04G200TFI003 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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