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DDTD114GC-7-F 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) -
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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DDTD114GC-7-F 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3370
DDTD113EU-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 15000
DDTD113ZC DIODES 特殊なホットIC 2639
DDTD113ZC-7 IC Diodes Incorporated 特殊なホットIC 50352
DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 1451
DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3102
DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 23638
DDTD114ECA Original 特殊なホットIC 9000
DDTD114EU-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 12270
DDTD114GU-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2631

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DDTD114GC-7-F ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, DDTD114GC-7-F 参考価格. DDTD114GC-7-F パラメーター, DDTD114GC-7-F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DDTD114GC-7-F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DDTD114GC-7-F ピン図と回路図と機能の使用方法、 DDTD114GC-7-F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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