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DMN1019USN-7 技術仕様

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2426pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SC-59
Power Dissipation (Max) 680mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DMN100-7 DIODES 特殊なホットIC 12814
DMN100-7-F Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16561
DMN100-7-F IC DIDOES 特殊なホットIC 2148
DMN100-7-F MOS Diodes Incorporated 特殊なホットIC 93294
DMN100-7-F-F DIODES 特殊なホットIC 3500
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 13739
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2504
DMN1004UFDF-13 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2680
DMN1004UFDF-7 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
DMN1004UFV Diodes Incorporated 特殊なホットIC 90000

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DMN1019USN-7 ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, DMN1019USN-7 参考価格. DMN1019USN-7 パラメーター, DMN1019USN-7 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DMN1019USN-7 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DMN1019USN-7 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DMN1019USN-7 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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