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DMN3110S-7 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 3.1mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305.8pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 740mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DMN3110LCP3 Diodes Incorporated 特殊なホットIC 90000
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 108464
DMN3110S D 特殊なホットIC 18578
DMN3110S MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18818
DMN3110S-7 MOS Diodes Incorporated 特殊なホットIC 9209
DMN3110S-7-F Diodes 特殊なホットIC 6500
DMN3112S-7 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 176668
DMN3112S-7-F DIODES 特殊なホットIC 1026
DMN3112SQ-7 T 特殊なホットIC 13066
DMN3112SSS-13 Diodes Incorporated トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 876

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DMN3110S-7 ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, DMN3110S-7 参考価格. DMN3110S-7 パラメーター, DMN3110S-7 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DMN3110S-7 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DMN3110S-7 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DMN3110S-7 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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