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DRDNB26W-7 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 220
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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DRDNB26W-7 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DRDNB16W-7 Diodes Incorporated トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3206
DRDNB21D-7 Diodes Incorporated PMIC - 電力分配スイッチ、負荷ドライバ 3320

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DRDNB26W-7 ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, DRDNB26W-7 参考価格. DRDNB26W-7 パラメーター, DRDNB26W-7 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DRDNB26W-7 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DRDNB26W-7 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DRDNB26W-7 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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