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EPC2014
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EPC2014 技術仕様
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +6V, -5V |
Supplier Device Package | Die Outline (5-Solder Bar) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 5A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
EPC2014 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください EPC2014
-
データシート
EPC2014.pdf
その他には以下が含まれます: "EPC20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'EPC20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EPC200-CSP5 | ESPROS Photonics AG | フォトダイオード | |
EPC2001 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2785 |
EPC2001C | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5487 |
EPC2007 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2672 |
EPC2007C | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2545 |
EPC2010 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2733 |
EPC2010C | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2207 |
EPC2010CENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2654 |
EPC2012 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2711 |
EPC2012C | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2759 |
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