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EPC2020ENGR 技術仕様

TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 31A, 5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
EPC200-CSP5 ESPROS Photonics AG フォトダイオード
EPC2001 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2785
EPC2001C EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5487
EPC2007 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2672
EPC2007C EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2545
EPC2010 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2733
EPC2010C EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2207
EPC2010CENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2654
EPC2012 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2711
EPC2012C EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2759

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