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1N5237B-TAP
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1N5237B-TAP 技術仕様
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ゼナー - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerance | ±5% |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Other Names | 1N5237B-TAP-ND 1N5237B-TAPGITB |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 40 Weeks |
Impedance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 6.5V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Supplier Device Package | DO-35 |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
Operating Temperature | 175°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
1N5237B-TAP 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください 1N5237B-TAP
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データシート
1N5237B-TAP.pdf
その他には以下が含まれます: "1N523" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N523'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5230 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 66 |
1N5230 4.7V | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 2235 |
1N5230A (DO-35) | Microsemi | ダイオード - ゼナー - シングル | 2679 |
1N5230B | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - ゼナー - シングル | 2599 |
1N5230B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - ゼナー - シングル | 2780 |
1N5230B | ON Semiconductor | ツェナーダイオード | |
1N5230B (DO-35) | Microsemi | ダイオード - ゼナー - シングル | 0 |
1N5230B A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ゼナー - シングル | 0 |
1N5230B BK | Central Semiconductor | ダイオード - ゼナー - シングル | 2620 |
1N5230B DO-35 | PANJIT | 特殊なホットIC | 5500 |
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1N5237B-TAP ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, 1N5237B-TAP 参考価格. 1N5237B-TAP パラメーター, 1N5237B-TAP データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5237B-TAP プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5237B-TAP ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5237B-TAP エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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