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AZ23B33-G3-08
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AZ23B33-G3-08 技術仕様
DIODE ZENER 33V 300MW SOT23
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 25V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Tolerance | ±2% |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 33V 300mW ±2% SOT-23 |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
AZ23B33-G3-08 書類
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データシート
AZ23B33-G3-08.pdf
その他には以下が含まれます: "AZ23B" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'AZ23B'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
AZ23B10-E3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2727 |
AZ23B10-E3-08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2647 |
AZ23B10-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ツェナーダイオードアレイ | |
AZ23B10-E3-18 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2515 |
AZ23B10-E3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2763 |
AZ23B10-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ツェナーダイオードアレイ | |
AZ23B10-G3-08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2746 |
AZ23B10-G3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2599 |
AZ23B10-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ツェナーダイオードアレイ | |
AZ23B10-G3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ツェナーダイオード - アレイ | 2676 |
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