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IRF510L 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262-3
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF510L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Detailed Description N-Channel 100V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRF510 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1434
IRF510 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 40811
IRF510A SEC 特殊なホットIC 20088
IRF510L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2610
IRF510N IR 特殊なホットIC 2381
IRF510NPBF I 特殊なホットIC 6384
IRF510NPBF MOS IR 特殊なホットIC 1115
IRF510PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2333
IRF510PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 59517
IRF510PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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IRF510L ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRF510L 参考価格. IRF510L パラメーター, IRF510L データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRF510L プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRF510L ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRF510L エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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