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IRF530S 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 8.4A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF530S
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
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IRF530S 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 90290
IRF530 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2347
IRF530 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 90384
IRF530 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRF5305 IR 特殊なホットIC 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3316
IRF5305LPBF. IR 特殊なホットIC 2716
IRF5305P IRF 特殊なホットIC 31
IRF5305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 471

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IRF530S ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRF530S 参考価格. IRF530S パラメーター, IRF530S データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRF530S プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRF530S ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRF530S エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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