IRF640S 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRF640 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2347
IRF640 IC ST 特殊なホットIC 967
IRF640 MOS IR 特殊なホットIC 839
IRF640,127 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2740
IRF640A SEC 特殊なホットIC 515
IRF640B FSC 特殊なホットIC 2332
IRF640B IC IR 特殊なホットIC 348
IRF640BPBF VB 特殊なホットIC 5000
IRF640FP STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1259
IRF640L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2545

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