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IRF830AL 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF830AL
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRF830 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 25373
IRF830 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 25384
IRF830 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2499
IRF830 IC IR 特殊なホットIC 949
IRF830 MOS IR 特殊なホットIC 571
IRF830-HF MOS APEC 特殊なホットIC 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2766
IRF8302MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 56198

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IRF830AL ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRF830AL 参考価格. IRF830AL パラメーター, IRF830AL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRF830AL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRF830AL ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRF830AL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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