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IRFBC30 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBC30
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRFBC30 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBC20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23413
IRFBC20 MOS IR 特殊なホットIC 565
IRFBC20-030 IR 特殊なホットIC 2632
IRFBC20F /IR 特殊なホットIC 2774
IRFBC20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
IRFBC20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2786
IRFBC20LPBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
IRFBC20LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2684
IRFBC20PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5304

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IRFBC30 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFBC30 参考価格. IRFBC30 パラメーター, IRFBC30 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBC30 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBC30 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBC30 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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