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IRFD110 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFD110 IRFD111 IRFD112
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
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IRFD110 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFD110 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 379
IRFD110PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2378
IRFD110PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5720
IRFD110PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFD110PBF IC IR 特殊なホットIC 630
IRFD110PBF MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 15733
IRFD113 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2513
IRFD113 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2736
IRFD113PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2760
IRFD113PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2505

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IRFD110 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFD110 参考価格. IRFD110 パラメーター, IRFD110 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFD110 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFD110 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFD110 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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