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IRFIB5N65A 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFIB5N65A
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
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IRFIB5N65A 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFIB11N50APBF VISHAY 特殊なホットIC 5800
IRFIB22N60C3 IR 特殊なホットIC 25
IRFIB41N15D IR 特殊なホットIC 2528
IRFIB41N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5318
IRFIB41N15DPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRFIB41N15DPBF. IR 特殊なホットIC 40032
IRFIB5N50L IR 特殊なホットIC 2665
IRFIB5N50LPBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 553
IRFIB5N50LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5460
IRFIB5N65A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1738

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IRFIB5N65A ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFIB5N65A 参考価格. IRFIB5N65A パラメーター, IRFIB5N65A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFIB5N65A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFIB5N65A ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFIB5N65A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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