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NSB8GTHE3/81 技術仕様

DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 400V 8A Surface Mount TO-263AB
Current - Average Rectified (Io) 8A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSB8GT-E3/81 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2581
NSB8GT-E3/81 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2707
NSB8GT-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
NSB8GTHE3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2757
NSB8GTHE3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2773
NSB8GTHE3/81 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2526
NSB8GTHE3_A/I Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2779
NSB8GTHE3_A/I Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2574
NSB8GTHE3_A/P Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2711
NSB8GTHE3_A/P Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2576

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NSB8GTHE3/81 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, NSB8GTHE3/81 参考価格. NSB8GTHE3/81 パラメーター, NSB8GTHE3/81 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSB8GTHE3/81 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSB8GTHE3/81 ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSB8GTHE3/81 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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