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SI1002R-T1-GE3
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SI1002R-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 30V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SC-75A |
Power Dissipation (Max) | 220mW (Ta) |
Package / Case | SC-75A |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 610mA (Ta) |
SI1002R-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI1002R-T1-GE3
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データシート
SI1002R-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI100" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI100'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI100 1LB | 3M | 接着剤、接着剤、アプリケーター | 2599 |
SI100 20G BTL | 3M | 接着剤、接着剤、アプリケーター | 2789 |
SI100 3G TUBE | 3M | 接着剤、接着剤、アプリケーター | 0 |
SI1000 | Silicon Labs | マイクロプロセッサ | |
SI1000-C-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2410 |
SI1000-C-GM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1000-C-GMR | SILICON | 特殊なIC | 5281 |
SI1000-CSA2-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2663 |
SI1000-CSA2-GM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1000-E-GM2 | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2645 |
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SI1002R-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI1002R-T1-GE3 参考価格. SI1002R-T1-GE3 パラメーター, SI1002R-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1002R-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1002R-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1002R-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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