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SI1013CX-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760 mOhm @ 400mA, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI1013CX-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 190mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount
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SI1013CX-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI1010 Silicon 特殊なホットIC 2747
SI1010 Silicon Labs マイクロプロセッサ
SI1010-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2702
SI1010-A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2686
SI1010-A-GMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-C-GM2 Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2519
SI1010-C-GM2 Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-C-GM2R Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 3657
SI1010-C-GM2R Silicon Labs RFトランシーバーIC

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SI1013CX-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI1013CX-T1-GE3 参考価格. SI1013CX-T1-GE3 パラメーター, SI1013CX-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1013CX-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1013CX-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1013CX-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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