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SI1016X-T1-E3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 485mA, 370mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1016X-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Base Part Number SI1016
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI1010 Silicon 特殊なホットIC 2747
SI1010 Silicon Labs マイクロプロセッサ
SI1010-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2702
SI1010-A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2686
SI1010-A-GMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-C-GM2 Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2519
SI1010-C-GM2 Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1010-C-GM2R Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 3657
SI1010-C-GM2R Silicon Labs RFトランシーバーIC

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SI1016X-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI1016X-T1-E3 参考価格. SI1016X-T1-E3 パラメーター, SI1016X-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1016X-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1016X-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1016X-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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