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SI1970DH-T1-GE3
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SI1970DH-T1-GE3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.25W |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Base Part Number | SI1970 |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
SI1970DH-T1-GE3 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "SI197" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI197'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI1970DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2790 |
SI1970DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2561 |
SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 3701 |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI1972DH | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 28 |
SI1972DH-T1 | VISHAY | 特殊なホットIC | 3256 |
SI1972DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 120613 |
SI1972DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 1297 |
SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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