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SI3407DV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 4.2W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI3407DV-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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SI3407DV-T1-GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SI340"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3400 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 36296
SI3400-BZ-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2576
SI3400-BZ-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3400-C-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2550
SI3400-C-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3400-CZ-GM SILICON 特殊なホットIC 3
SI3400-D-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2764
SI3400-D-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3400-DC SILICON 特殊なホットIC 5500
SI3400-DU SILICON 特殊なホットIC 2636

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SI3407DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI3407DV-T1-GE3 参考価格. SI3407DV-T1-GE3 パラメーター, SI3407DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3407DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3407DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3407DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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