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SI3456BDV-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI3456BDV-T1-E3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
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SI3456BDV-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3450-GM SILICON 特殊なホットIC 2587
SI3451DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23912
SI3451DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 39422
SI3451DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16362
SI3451DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3429
SI3452-B01-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2611
SI3452-B01-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3452-B01-IM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2660
SI3452-B01-IM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3452-B02-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2321

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SI3456BDV-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI3456BDV-T1-E3 参考価格. SI3456BDV-T1-E3 パラメーター, SI3456BDV-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3456BDV-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3456BDV-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3456BDV-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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