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SI3493DDV-T1-GE3
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SI3493DDV-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1825pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI3493DDV-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
SI3493DDV-T1-GE3 書類
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データシート
SI3493DDV-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI349" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI349'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI3493BDV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 518500 |
SI3493BDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 518500 |
SI3493BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SI3493BDV-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 742 |
SI3493BDV-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 29583 |
SI3493BDV-T1-E3-S | VISHAY | 特殊なホットIC | 58489 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 71523 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 71523 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
Si3493BDV-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 36367 |
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